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NiFe薄膜在室温下具有较高的各向异性磁电阻率．可广泛应用于磁记录和磁传感器,本文研究了工艺条件对电子束蒸发方法制备的Ni80Fe20薄膜磁电阻特性及微结构的影响,获得了制备各向异性磁电阻率达3％～4％的Ni80Fe20薄膜的工艺条件.
工艺参量对Ni80Fe20薄膜结构与磁电阻特性的影响
【摘 要】
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NiFe薄膜在室温下具有较高的各向异性磁电阻率．可广泛应用于磁记录和磁传感器,本文研究了工艺条件对电子束蒸发方法制备的Ni80Fe20薄膜磁电阻特性及微结构的影响,获得了制备各
【机 构】
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北京科技大学应用科学学院物理系
【出 处】
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物理实验
【发表日期】
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2006年6期
【基金项目】
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国家工科物理基础课程教学基地项目（2005）,北京科技大学教研基金项目（2005）
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