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采用脉冲激光沉积法（PLD）在Pt衬底（Pt/TiO2/SiO2/Si）上制备了SrTiO3（STO）薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示：空间电荷限制电流（SCLC）机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。