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以Al／Fe为催化剂，使用热CVD法在硅片表面垂直生长碳纳米管。研究了不同温度下，未经高温真空退火的碳纳米管吸附和解吸乙醇蒸汽时．碳纳米管电学特性的变化规律。把碳纳米管在真空下（＜1Pa）进行高温（150℃）退火，对经过退火的碳纳米管在不同温度下，吸附和解吸乙醇蒸汽后电学特性的变化规律进行研究。实验结果表明，未经高温真空退火的碳纳米管电学特性表现出P型半导体特性，经过高温真空退火后，碳纳米管的电学特性变为n型半导体特性。