【摘 要】
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采用密度泛函B3P86方法,结合Dunning的相关一致五重基cc-PV5Z,设置不同外电场参数进行优化计算,获得MgH分子在不同外电场中的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱强度等物理性
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(11147158,11264020);江西省自然科学基金资助项目(2010GQW0031);江西省教育厅科技项目资助(GJJ12483,GJJ12463,GJJ11540)
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采用密度泛函B3P86方法,结合Dunning的相关一致五重基cc-PV5Z,设置不同外电场参数进行优化计算,获得MgH分子在不同外电场中的键长、偶极矩、振动频率和红外光谱强度等物理性质参数。在此基础上,采用能量高精度耦合簇CCSD（T）方法和相同的基组扫描计算单点能,获得不同外电场下的势能曲线。结果分析表明,物理性质参数和势能均随外电场的变化而变化,且外加反向电场时变化幅度更明显。考虑到外电场与分子的相互作用,本文引入偶极近似构建外电场中的势能函数模型,编制程序拟合对应的势能函数,得出拟合参数,进而计算
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