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微电子所高频高压器件与集成研发中心刘洪刚研究员、王盛凯副研究员带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下,对high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究,经过近5年的持续攻关,取得了突破性的研究成果。