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基于高温扩散理论,研究了不同温度下Al在GaAs中的扩散情况。利用扫描电子显微镜（SEM）对Al在GaAs中的浓度分布和Al与GaAs的界面进行了表征。结果表明：当扩散温度较低时（650℃）,Al在GaAs中扩散较快,可获得较佳的扩散结果。当温度升高后（800℃）,GaAs中的As挥发增强,其在Al和GaAs界面处富集,阻碍了Al向GaAs中的扩散。最后根据实验结果,利用Fick定律计算了在650℃下AlGaAs靶的制备时间。