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介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序，该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程，并利用该程序，对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟。
纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟
【摘 要】
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介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序，该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程，并利用该程序，对含量子岛和量子岛阵列的
【机 构】
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中南大学计算科学与信息学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年B05期
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