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为研究化学气相沉积纯钨（CVD—W）的沉积组织生长对品界结构的影响，以及晶界结构对塑性形变的影响：采用电子背散射技术观察CVD—W的微观组织，分析晶界结构；采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明：CVD—W具有显著的〈001〉晶粒择优取向，晶界呈现∑3、∑5等低重合位置点阵的晶界结构特征，其中∑3具有最高的出现频率；其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料。研究认为由于CVD—W在界面上具有较多的重合位置，晶界处晶格吻合较好，畸变程度低，界面能较低，而且由于低ECSL晶