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随着工艺不断的发展,芯片越来越容易被静电放电（ESD）冲击损坏。在动态随机存取存储器（DRAM）芯片中最容易被ESD损坏的模块就是接口（I/O）模块。本文针对DRAM接口模块被ESD损坏的两种情况,提出两种不同的改进方法,实现DRAM芯片抗ESD能力的大幅提高。
两种提高DRAM接口模块抗静电能力的方法
【摘 要】
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随着工艺不断的发展,芯片越来越容易被静电放电（ESD）冲击损坏。在动态随机存取存储器（DRAM）芯片中最容易被ESD损坏的模块就是接口（I/O）模块。本文针对DRAM接口模块被ESD损坏的两种
【机 构】
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西安紫光国芯半导体有限公司
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2017年6期
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