论文部分内容阅读
基于器件物理分析的方法，结合沟道电势二维解析模型，分析比较了漏极引致势垒降低效应（DIBL effect）对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒，阈值电压，以及亚阈值电流的影响，并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化，并带来阈值电压及亚阈值电流的变化。栅长越大，温度越高，亚阈值倾斜因子Ns越小，栅压对沟道电流的控制能力增强，最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快。