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介绍了用真空烧结和真空蒸发制备ＧｅＴｅ和ＧｅＴｅＳｂ非晶薄膜的工艺；从热力学的角度分析了发生相变时在两电极之间形成了晶化的导电丝，熵减少。讨论了Ｓｂ的加入对ＧｅＴｅ非晶薄膜性能的影响。利用电阻与温度的关系计算出ＧｅＴｅＳｂ的相变温度，计算结果与实验测定的相变温度接近。最后用衍射对ＧｅＴｅＳｂ薄膜进行了结构分析。