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本文中，我们采用空心阴极等离子体增强化学气相沉积（MHC-PECVD）在玻璃、表面溅射氧化铟锡（ITO）的玻璃（玻璃+ITO）以及表面溅射ITO的聚酰亚胺（PI+ITO）柔性衬底上沉积氢化微晶硅（μc-Si：H），研究不同衬底材料对微晶硅薄膜性质的影响。我们发现在 PI+ITO衬底上沉积薄膜的结晶率（Xc）最小，且结晶率最大值时的温度依赖沉底材料：对于 PI+ITO 衬底来说，结晶率最大值时的温度为200℃，而对于玻璃和玻璃+ITO 衬底来说，这个温度会在250℃~300℃之间浮动。我们认为PI+ITO衬底上薄膜较低的结晶率与其较高的热膨胀系数（CTE）以及小分子和气体的释放有关。