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介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计，对铟凸点制备技术进行了研究，最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150—300℃下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300℃，0．3MPa压力下键合的剪切强度达到了5MPa．
一种基于Au-In共晶的低温键合技术
【摘 要】
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介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计，对铟凸点制备技术进行了研究，最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵
【机 构】
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东南大学MEMS教育部重点实验窒
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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2009年B11期
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