【摘 要】
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在很高的谐振频率下,若使用传统的MOSFET作为无线电能传输(WPT)的发射端逆变电路的开关器件,会出现开关损耗大、发热量高以及很难实现软开关等造成系统效率低且不稳定的问题.
【机 构】
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北京化工大学信息科学与技术学院,北京,100029
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在很高的谐振频率下,若使用传统的MOSFET作为无线电能传输(WPT)的发射端逆变电路的开关器件,会出现开关损耗大、发热量高以及很难实现软开关等造成系统效率低且不稳定的问题.为解决以上问题,提出了基于D类和E类放大器的拓扑结构,使用GaN(C)FET开关管,实现了高频下的无线电能传输.以串串补偿拓扑的WPT系统为基础,分析应用于WPT系统的E类和D类的功率放大器的结构和原理,在频率为1 MHz下实现了软开关,提高了系统的效率和可靠性.通过LTspice对试验进行仿真,得出试验结果.
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