【摘 要】
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针对系统级封装技术中硅通孔（through silicon via,TSV）阵列密度日益增加的问题,提出了一种新型的椭圆柱TSV结构以及相应的GS（地—信号）传输结构。建立这一新型传输结构的等效电
【机 构】
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北京信息科技大学信息微系统研究所,北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室
【出 处】
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北京信息科技大学学报(自然科学版)
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针对系统级封装技术中硅通孔（through silicon via,TSV）阵列密度日益增加的问题,提出了一种新型的椭圆柱TSV结构以及相应的GS（地—信号）传输结构。建立这一新型传输结构的等效电路模型,提取其电阻、电感和电容等元件参数。分析该新型TSV结构的物理尺寸及绝缘层厚度对传输结构性能的影响。在三维电磁场求解器中,将基于椭圆TSV的GS传输结构与传统圆柱形TSV结构进行对比,发现在保证特性阻抗不变的情况下,该结构表面电场分布更均匀,传输性能也有所提升,而且占用的芯片面积更小。考虑实际应用,将2种T
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