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用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅，为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进行了吸除，通过流程简化，采用6块版工艺，研制出125mmQVGA有源选址有机发光显示的多晶硅TFT选址矩阵基板。
125mm彩色AMOLED的多晶硅TFT基板
【摘 要】
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用化学法在非晶硅表面形成Ni源，经金属诱导晶化（MIC）得到了大晶粒碟型多晶硅，为改善以此材料作有源层的多晶硅TFT的漏电特性和均匀性，采用动态杂质吸除方法对MIC过程所残留的Ni进
【机 构】
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南开大学信息学院光电子所,香港科技大学电机与电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年8期
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