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Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色，近年来越来越受到人们的瞩目，特别是InAs／GaSb二类超品格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SCD关于InAsSb nBn中波高温探测器和InAs／GaSb二类超晶格pBp长波探测器中的研发。