【摘 要】
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为了研究ZnO压敏电阻组成中非化学配比氧化物对ZnO压敏电阻导电性能的影响,采用在不同氧分压条件下烧结样品以研究其烧结行为.结果表明:ZnO晶粒的电导率对数与氧分压对数成线
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为了研究ZnO压敏电阻组成中非化学配比氧化物对ZnO压敏电阻导电性能的影响,采用在不同氧分压条件下烧结样品以研究其烧结行为.结果表明:ZnO晶粒的电导率对数与氧分压对数成线性关系;斜率为-1/4;间隙Zn原子以一价电离Zn·I形式存在.由于CoO,MnO和NiO阳离子空位氧化物多偏析于晶界,晶界处氧的增加有利于降低压敏电阻漏电流,烧结时间从2 h延长到8 h,漏电流从5 μA/cm2降到3.6 μA/cm2.波谱分析表明:掺杂氧化物在晶界处都有偏析,ZnO晶粒中掺杂原子混溶比例不完全与掺杂阳离子
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