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  5. 直流磁控反应溅射法制备工艺参数对TiO2薄膜光催化性能的影响

直流磁控反应溅射法制备工艺参数对TiO2薄膜光催化性能的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wxhxfb
【摘 要】
：
采用直流磁控反应溅射法在未加热衬底上沉积TiO2薄膜,以紫外灯为光源进行了薄膜光催化降解亚甲基蓝溶液的实验,研究了沉积工艺参数和后处理退火温度对薄膜光催化性能的影响.
【作 者】
：
赵琳 QIU Jia-wen 何延春 
【机 构】
：
兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,National Key Laboratory of Surface Engineering
【出 处】
：
人工晶体学报
【发表日期】
：
2004年期
【关键词】
：
TiO2薄膜 磁控溅射 光催化 制备工艺参数 TiO2 thin films maganetron sputtering photocatalytie prep 
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采用直流磁控反应溅射法在未加热衬底上沉积TiO2薄膜,以紫外灯为光源进行了薄膜光催化降解亚甲基蓝溶液的实验,研究了沉积工艺参数和后处理退火温度对薄膜光催化性能的影响.结果表明:经过500℃退火、厚度较大的薄膜样品光催化效率较高;膜厚基本相同的样品,沉积时电源功率较小、Ar/O2流量比例较小的薄膜光催化效率较高.
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