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分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响，提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度．模拟结果显示，两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场，从而缓解沟道热载流子效应，提高P-LDMOS的可靠性。
高可靠性P-LDMOS研究
【摘 要】
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分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响，提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度．模拟结果显示，两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年12期
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