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利用第一原理理论研究了金属In在Si（001）表面吸附的原子结构．结果表明，In原子的吸附不破坏村底Si的二聚体化学键．在低覆盖率时，In原子在Si（001）村底上形成有序量子线，取向沿村底Si的二聚体化学键方向．计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用．
Si（001）表面In量子线的第一原理研究
【摘 要】
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利用第一原理理论研究了金属In在Si（001）表面吸附的原子结构．结果表明，In原子的吸附不破坏村底Si的二聚体化学键．在低覆盖率时，In原子在Si（001）村底上形成有序量子线，取向沿村底Si的二
【机 构】
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河南师范大学物理系,河南科技大学数理系
【出 处】
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原子与分子物理学报
【发表日期】
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2006年4期
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