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近年来,由于钴薄膜具有优良的物理化学性能如低电阻率、高磁各向异性、高催化活性等引起人们的广泛关注。在集成电路领域,基于钴优异的低电阻率特性,钴可以替代铜成为新一代半导体导线材料,在10 nm、7 nm,甚至在5 nm、3 nm芯片制造工艺下作为互连导线,可以提升导电性、降低功耗并大幅减小芯片体积,使芯片效能更高。目前已经有许多制备钴金属薄膜的研究,本文重点介绍利用化学气相沉积技术、热原子层沉积技术以及等离子体辅助原子层沉积技术制备钴薄膜的研究现状,讨论各种制备方法的优劣,对所使用的前驱体做了总结,并展望了