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在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ的光致发光进行了研究，在发光谱中分别明显地出现ＮＮｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎｘ束缚激子从孤立Ｎｘ中心到ＮＮｉ中心的热激活转移，分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转