【摘 要】
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HgCdTe已经成为许多电光系统研制与生产所选用的探测器材料,这些电光系统的应用覆盖 2～16μm红外光谱,工作温度在300 K～40 K范围,背景通量为10~(18)～10~(12)光子/cm~2s。这种成
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HgCdTe已经成为许多电光系统研制与生产所选用的探测器材料,这些电光系统的应用覆盖 2～16μm红外光谱,工作温度在300 K～40 K范围,背景通量为10~(18)～10~(12)光子/cm~2s。这种成功的基础是,用于制作这些探测器的HgCdTe材料在不断发展和完善。本文对用于描述p~+在n上的HgCdTe二极管的漏泄电流、信号电流及电容的表达式作了分析,以便确定一些重要的材料特性及这些材料特性对最后制成的探测器的性能的影响。为了达到理想的性能,除了寿命、掺杂密度、迁移率和组分之外,还必须对吸收层内
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