【摘 要】
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成功制备了可溶性n 型聚合物PPQ掺杂的可溶性p型聚合物PDDOPV的单层发光器件.与具有相同厚度的纯PDDOPV 的单层器件相比,起亮电压从4.5 V降低到2.6 V;在电压相同的条件下,掺
【机 构】
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佛山科技学院电子系,天津理工学院材料物理所,天津大学精仪学
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成功制备了可溶性n 型聚合物PPQ掺杂的可溶性p型聚合物PDDOPV的单层发光器件.与具有相同厚度的纯PDDOPV 的单层器件相比,起亮电压从4.5 V降低到2.6 V;在电压相同的条件下,掺杂的单层器件的电流和纯PDDOPV的单层器件在同一个数量级,但亮度和发光效率均高出1个数量级以上.在10 V时,掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是1.95, 30.9和16.0.掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在PDDOPV中掺杂PPQ降低了少子的注入势垒,提高了少子注入水平.这一结果表明
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