【摘 要】
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为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层,多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院; 燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61404019,61704147)
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为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层,多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率f_T等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,f_T提高了39.9%。
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