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在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件－Si-Ge异质基区混合模式晶体管，由于基区采用禁带宽度较窄的Si-Ge合金材料，引起空穴向发射区反注入势垒的提高，使IB空穴电流减小，从而提高了注入效率，迁移率增高，从而提高特征频率。因而这种器件具有β高，基区电阻低，基区渡越时间矩等优点，通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大，低温放大倍数极高，常温放大倍数较高，特征频率高等优点，是下一代IC的发展方向。