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双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.自对准的双栅MOSFET结构中,栅与源漏之间无覆盖,对于实现最终的高性能十分重要.本文具体介绍了几种自对准的双栅MOSFET的结构及其工艺流程.
自对准双栅MOSFET的结构与工艺实现
【摘 要】
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双栅MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点.自对准的双栅MOSFET结构中,栅与源漏之间无覆盖,对于实现最终的高性能十分重
【机 构】
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东南大学微电子中心MEMS教育部重点实验室
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2002年3期
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