GaN从蓝宝石衬底上激光剥离技术的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yougboo

【摘要】

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通过激光剥离成功分离了GaN膜及其蓝宝石衬底.位于界面处的GaN吸收了波长248 nm的激光辐射,导致其热分解,产生Ga和N2气.再将样品加热到Ga的熔点(29℃)以上,即可很方便地除去

【作者】

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徐剑张荣王一平修向前顾书林沈波施毅刘治国郑有

【机构】

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南京大学物理学系固体微结构国家重点实验室

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

氮化镓激光剥离自支撑 X射线衍射原子力显微镜 GaN laser liftoff freestanding Xray diffraction at

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，江苏省高技术研究发展计划项目

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通过激光剥离成功分离了GaN膜及其蓝宝石衬底.位于界面处的GaN吸收了波长248 nm的激光辐射,导致其热分解,产生Ga和N2气.再将样品加热到Ga的熔点(29℃)以上,即可很方便地除去蓝宝石衬底.对于激光分离前后的GaN样品,进行了原子力显微镜(AFM)和X射线衍射实验(XRD)的测量,证实了剥离过程并未改变GaN膜的质量.并进一步讨论了激光剥离的阈值能量密度和避免GaN膜破裂的几种方法.

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