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用脉冲激光沉积工艺在半导体（001）SrTiO3：ω（Nb）=1．0％单晶基片上，外延生长出Ba（Zr0.2Ti0.8）O3（简称BZT）介电薄膜．在650℃原位退火10min，薄膜为（001）外延生长的晶粒．薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成．BZT薄膜（002）峰的半峰宽只有0．72°，说明薄膜晶化良好；薄膜的平均晶粒为90nm，表面均方根粗糙度为4．3nm，说明薄膜表面平整．在室温、100kHz和500kV／cm条件下，BZT的最大介电常数和调谐百分率分别