【摘 要】
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以高纯a-Al_2O_3粉与AlN粉为原料,采用无压烧结,通过气氛渗透,在烧制过程中掺入等量碳的方法制备AlON：C透明陶瓷,研究AlON：C透明陶瓷的光释光性能。结果发现：AlON：C透明陶瓷光释
【机 构】
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景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院,中国科学院上海硅酸盐研究所
【基金项目】
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国家科技重大专项（2016ZX06001002-005-001）, 国家自然科学基金（11775312）资助
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以高纯a-Al_2O_3粉与AlN粉为原料,采用无压烧结,通过气氛渗透,在烧制过程中掺入等量碳的方法制备AlON：C透明陶瓷,研究AlON：C透明陶瓷的光释光性能。结果发现：AlON：C透明陶瓷光释光衰变曲线都随着时间呈指数变化衰减,前期衰减快,后期衰减速率变慢;470 nm蓝光不能清空光释光信号,光释光有信号堆积现象。β射线辐照下,AlON：C陶瓷的光释光剂量响应曲线呈线性、亚线性,并有趋向饱和的特点;AlON：C透明陶瓷对b射线的光释光响应曲线在50 m Gy~50 Gy与50~100 Gy吸收剂量范
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