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通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺，获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层．同时通过优化AlGaN／GaN异质结材料中AlN插入层的厚度，获得了性能优良的AlGaN／GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1．21×10^13／cm^2，迁移率为1970cm^2／V·s，77K下2DEG迁移率达到13000cm^2／V·s。