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为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试.结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2～3)×1020/cm3,且当激活的磷掺杂源穿透SiOx层并在Cz-Si基体中具有一定的“穿透扩散”剖面时,电池背表面的钝化效果达到最优值,使得背表面暗饱和电流密度值J0小于2.5 fA/cm2,达到目前行业的先进水平,同时基于最优的背表面钝化结果进行电池制作,电池平均转换效率超过22.43％.