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基于MEMS技术在P型〈100〉晶向双面抛光单晶硅片上制作C型硅杯，在C型硅杯上表面扩散p^＋，采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为〈0002〉晶向的n—ZnO薄膜，形成n—ZnO／p—Si异质结。采用HP4280A型C—V特性测试仪分析n—ZnO／p—Si异质结的C—V特性，该异质结为突变结。采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n—ZnO／p—Si异质结I-V特性，结果给出，n-ZnO／p—Si异质结在正向偏压下，电流随外加偏压按指数函数增加，反向电流不饱和，采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其