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提出一个以TMGa,TMAl,TMIn和MH3为源，用MOVPE方法在生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特别是考虑了NH3的分解效率，并用N、H、Ga,Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程。计算了各种生长条件对GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响。计算表明，几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中，而In富集在气相。为