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本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的值电压解析模型，并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、ＤＩＢＬ、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应，最后得以了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型，模型输出与华晶等榈测试ＭＩＮＩＭＯＳ模拟结果较为吻合，可用于ＶＬＳＩ器件与电路预测模拟。