功率器件一直都是由材料引导技术革新，硅材质的MOSFET已经应用多年，现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战，而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。
　　宜普电源转换公司（EPC）是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管的公司，他们希望借助技术优势快速推广其技术和产品，并于未来数年间取代硅功率MOSFET器件及IGBT，抢夺超过百亿美元的功率转换市场份额。
　　增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管作为宽频隙器件，其优势包括具有更高功率密度、更高电压、更低漏电流及具备在更高温度下工作的性能；具有卓越传导性能，在相同导通阻抗下，器件尺寸更短小、更低电容等。该公司技术专家Michael de Rooij介绍，由于电容及电感影响开关速度，氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的尺寸短小及其横向结构可实现超低电容而同时使用LGA封装使得器件具低电感，从而在速度、电压过冲及振铃方面取得开前所未有的开关性能。 器件并具零QRR 使得它在高频下具较低损耗。氮化镓场效应晶体管的开关性能可实现更高功率密度、更高频、更精确开关及更高总线电压。
　　该公司技术专家郑正一对比了几种材料的不同特点，eGaN FET的优势是可推动全新性能的出现、易于使用、成本低及具高可靠性。该技术基于不昂贵的硅衬底，并使用现有的CMOS晶圆工艺，实现更少工艺步骤，整体的系统成本可更低且易于使用。碳化硅（SiC）器件是一种好材料，但目前它的成本较高。碳化硅器件可以工作在1200 V以上并比硅器件优胜很多。EPC的氮化镓场效应晶体管备有200 V、100 V及40 V的器件，并正在开发其它电压的产品。在这些电压范围，eGaNFET在成本方面比碳化硅有明显优势，这让eGaNFET非常适合包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、光学遥感技术（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。