【摘 要】
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在室温下,对纯铜T2及黄铜H90(Cu-10wt.%Zn)两种中低层错能材料进行A路径最高8道次等通道转角挤压(equal channel angular pressing,ECAP)试验,其层错能分别为78m J/m2、35m J
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在室温下,对纯铜T2及黄铜H90(Cu-10wt.%Zn)两种中低层错能材料进行A路径最高8道次等通道转角挤压(equal channel angular pressing,ECAP)试验,其层错能分别为78m J/m2、35m J/m2,采用金相显微技术和透射电子显微技术在不同尺度上研究了ECAP变形后的显微组织。实验结果表明,随着层错能的降低,材料的晶粒更容易得到细化,且均匀程度更高。8道次变形后H90观察到了变形孪晶,T2、H90的平均晶粒尺寸分别为308nm和210nm。
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