【摘 要】
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本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等离子体氢化处理)对薄膜特性的影响.实验条件
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本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等离子体氢化处理)对薄膜特性的影响.实验条件变化范围是:溅射时氩的气压(3～15×10~(-3)TORR);等离子体氢处理的时间及温度(O～120’,200～400℃).关于射频溅射非晶硅薄膜及等离子氢化处理的工艺规律,可参阅作者其它论文.
In this paper, some photovoltaic properties of RF sputtering amorphous silicon thin films are studied based on the application. The effects of sputtering conditions and hydrotreating (including hydrogen-argon mixed sputtering and plasma hydrogenation of the thin films after sputtering) on the film properties (3 ~ 15 × 10 ~ (-3) TORR), plasma hydrogen treatment time and temperature (O ~ 120 ’, 200 ~ 400 ℃) Sputtering amorphous silicon film and plasma hydrogenation process rules, see the author of other papers.
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