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用磁控溅射工艺在不同沉积温度制备200 nm与2μm厚的Cu膜，并用X射线衍射仪（XRD）与光学相移方法测量薄膜织构与残余应力。结果表明，对于200 nm厚Cu膜，随着沉积温度T增加，晶粒取向组成几乎保持不变，薄膜具有较低拉应力且不断减小；而对于2μm厚Cu膜，随着T增加，Cu〈111〉/Cu〈200〉晶粒取向组成比值急剧减小，薄膜具有较大的拉应力且不断减小。根据表面能、应变能及缺陷形成等机制对薄膜残余应力与织构的演化特征进行了分析。