【摘 要】
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本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_
【机 构】
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本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.
In this work, n-type InGaAs epitaxial wafers have been studied by using the electro-modulation reflection spectroscopy technique.The critical energies E_0, E_1, spin-orbit splitting △ _0 , △ _1 and linewidth parameters Γ_0, Γ_1, and also studied the relationship between the critical point energy E_1 and the gold-bearing component x.The results are in good agreement with the theoretical and experimental data reported at home and abroad.
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