【摘 要】
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美高森美公司(MicrosemiCorporation)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punchthrough,NPT)绝缘栅双极晶体管(insulatedbipolargatetransistors,IGBT)产品,备有45 A、70 A和95
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美高森美公司(MicrosemiCorporation)宣布提供下一代650V非穿通型(non-punchthrough,NPT)绝缘栅双极晶体管(insulatedbipolargatetransistors,IGBT)产品,备有45 A、70 A和95 A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,效率提高了大约8%。新的NPTIGBT器件还
Microsemi Corporation today announced it is supplying the next generation 650V non-punchthrough (NPT) insulated gate bipolar transistor (IGBT) products available in 45 A, 70 A and 95 A rated current models. Micrometm’s new NPTIGBT product family is designed for harsh environments and is ideal for industrial applications such as solar inverters, welding machines and switching power supplies. Microsemi’s new power devices improve efficiency by providing the best loss performance in the industry, resulting in an efficiency increase of about 8% over the nearest competitor’s IGBT products. New NPTIGBT device also
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