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超结MOSFET的最新发展动向
超结MOSFET的最新发展动向
来源 :电力电子 | 被引量 : 0次 | 上传用户:frankcomet
【摘 要】
:
简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。
【作 者】
:
田波
亢宝位
【机 构】
:
北京工业大学
【出 处】
:
电力电子
【发表日期】
:
2004年4期
【关键词】
:
功率MOSFET
超结MOSFET
通态电阻
击穿电压
硅限
power MOSFET superjuntion MOSFET on-resistance br
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简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。
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