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通过结合BSIMCMG模型与负电容（negative capacitance（NC））模型，构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型，推导分析了其等效电容模型。并利用HSPICE对NC-FinFET的器件特性进行了系统的仿真及分析。结果表明，NC-FinFET与FinFET相比在电学特性上具有明显优势，其亚阈值摆幅（SS）更低。此外，分析了铁电材料的厚度(tFE)对SS及栅压放大倍数的影响，以及衬偏电压Vsb对NC-FinFET性能的影响，为NC-FinFET降低功耗和抑制寄生效应提供了理论依据和解决思路。