【摘 要】
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在硅和铁基底上同时进行CVD 金刚石的沉积,利用硅基底上的金刚石成核感应金刚石在铁基底上直接成核。研究表明,硅和铁基底上不同的沉积过程导致了铁基底上碳原子表面扩散的加强,从
【机 构】
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在硅和铁基底上同时进行CVD 金刚石的沉积,利用硅基底上的金刚石成核感应金刚石在铁基底上直接成核。研究表明,硅和铁基底上不同的沉积过程导致了铁基底上碳原子表面扩散的加强,从而促成了CVD 金刚石在铁基底上的直接成核。表面扩散对CVD 金刚石成核有重要影响。
CVD diamond deposition on silicon and iron substrates simultaneously, diamond nucleation on silicon substrates induces diamond nucleation directly on iron substrates. Studies have shown that different deposition processes on silicon and iron substrates result in enhanced surface diffusion of carbon atoms on the iron substrate, resulting in the direct nucleation of CVD diamond on iron substrates. Surface diffusion has an important effect on CVD diamond nucleation.
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