【摘 要】
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本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）为衬底采用热丝化学气相沉积法（HWCVD）沉积氢化非晶氧化硅（a-SiOx∶H）,研究气体流量对其钝化
【机 构】
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南昌工程学院理学院,南昌大学光伏研究院
【基金项目】
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江西省青年科学基金资助项目（20171BAB216014）
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本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）为衬底采用热丝化学气相沉积法（HWCVD）沉积氢化非晶氧化硅（a-SiOx∶H）,研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO2,H2,SiH4流量均能显著的影响a-SiOx∶H钝化性能,最优钝化效果CO2,H2,SiH4流量分别为0.3 sccm,16sccm,10 sccm,双面沉积a-SiOx∶H后硅片的少子寿命达到了466 s（注入浓度取1×10 cm~（-3））。
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