基于IBIS模型的CMOS电路同步开关噪声的计算和优化

来源 :上海交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nufjin

【摘要】

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基于高速数字I/O缓冲器瞬态行为模型计算并优化了CMOS集成电路的同步开关噪声(SSN).简述了用IBIS(I/O Buffer Information Specification)数据文件构造高速数字I/O缓冲器的瞬

【作者】

：

陈建华毛军发蔡兴建王德东

【机构】

：

上海交通大学电子工程系

【出处】

：

上海交通大学学报

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

：

CMOS电路 IBIS模型同步开关噪声序列二次规划法高速集成电路寄生参数 CMOS integrated circuits Interference s

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基于高速数字I/O缓冲器瞬态行为模型计算并优化了CMOS集成电路的同步开关噪声(SSN).简述了用IBIS(I/O Buffer Information Specification)数据文件构造高速数字I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程，利用序列二次规划法(SQP)对CMOS电路的寄生参数和传输线的主要物理参数进行了优化分析，减小了CMOS电路的SSN.

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