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以磁浸没透镜的电流密度值的大小为优化参量,以成像系统的轴上像散为目标函数,利用单纯形优化法对用于投射式电子束曝光系统的新型磁浸没透镜进行了优化设计.结果表明,目标函数由未经优化前的358.187 nm降低到50.693 nm.同时单纯形优化法不需要已知目标函数与优化参量之间的解析关系式及求导,因此作为电子光学系统的最优化设计具有明显的优越性.