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由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景,因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难,通过实验,用常规 X R D, X P S 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术,测出厚度约为3 nm 的铂硅膜的物相成分为 Pt Si, Pt2 Si。