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由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术，测出厚度约为３ ｎｍ 的铂硅膜的物相成分为 Ｐｔ Ｓｉ， Ｐｔ２ Ｓｉ。
常规XRD对超薄PtSi/Si膜的表征技术的研究
【摘 要】
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由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了
【机 构】
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重庆光电技术研究所!重庆400060,电子科技大学信息材料工程学院!成都610054
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1999年4期
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