高密度高导电性ITO靶研制

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jifengrgj

【摘要】

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采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂

【作者】

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张维佳王天民崔敏金飞丁照崇阎兰琴

【机构】

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北京航空航天大学

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2006年7期

【关键词】

：

ITO 溅射靶烧结剂掺杂 ITO sputtering target agglutinant adulteration

【基金项目】

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国防科工委预研科学基金资助（413100202）

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采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω·cm,其质量损失率小于4.0%.采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上.当烧结温度为1500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率.

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